当别人还在教室画电路图，泉州职业技术大学工学院集成电路专班的学生已经冲进厦门大学国家集成电路产教融合创新平台的集成电路实训室，上演真实版《芯片风云》！

本次实训课程聚焦芯片制造7大核心工艺，将核心工艺浓缩为“微缩校徽”项目，分为上午和下午两部分，上午主要是安全培训，下午则是进入实验室进行实际操作，通过单日实践掌握从“晶圆处理-图形转移-成品检测”的全流程技能。

上午的洁净室安全课程由厦大微电子系李晓潮教授及李君兰老师进行授课。课程中介绍了洁净室工作原理、各项设施原理及用途，设施设备的日常管理维护方法，洁净室使用及管理办法、异常发生时的处理办法以及一些危化品对人体的伤害，提高同学们的安全意识。

下午的课程则需学生穿上"太空服"，分组对硅片进行干法和湿法刻蚀，实操环节由工程师指导，形成“理论-操作-质检”三位一体教学闭环。

学生制作的厦大校徽微缩芯片，本质是模拟集成电路光刻工艺的“教学级复现”，涉及三大核心技术模块，首先是旋转涂胶及烘片，在晶圆表面均匀涂覆光刻胶，转速控制需精确，并且涂胶效果会直接影响后续图形分辨率。

对准曝光：使用激光直写设备完成掩膜版图形转移，关键参数包括曝光能量与焦深容差，学生需通过显微成像系统实时校准套刻误差。

湿法腐蚀：采用HF/HNO₃混合溶液进行各向同性刻蚀，适合制作弧形校徽边缘，但需严格控制溶液浓度（误差<0.1%）与温度（23±0.5℃）

干法刻蚀：使用CF₄等离子体实现各向异性刻蚀，垂直度可达85°-90°，适用于校徽棱角细节，过程中需监测射频功率（100-500W）与气压（10-100mTorr）的动态平衡。

技术延伸：从教学实验到产业应用的桥梁

此次实训涉及的“旋转涂胶-曝光-显影”流程，与华为鸿蒙芯片制造中的DUV光刻工艺高度相似；而干法刻蚀参数设置则直接参考了联芯集成电路的55nm逻辑器件产线标准。学生作品虽为教学演示，但其工艺逻辑与业界主流技术路径完全一致，为后续参与集成电路版图设计职业技能认证打下基础。

微缩校徽背后的“中国芯”使命

当00后学子在显微镜下凝视亲手制作的校徽芯片时，他们看见的不仅是金属层的光泽，更是中国半导体产业自主化的希望之光。这场跨越职教与普教、连接课堂与产线的实践，正为“芯”时代书写着新型工程技术人才的培养范式，最终人手一枚专属微缩校徽！以下为学生作品展示。